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【成果简介】近日，全种清华大学李渭、全种薛其坤和华中科技大学徐刚（共同通讯作者）等人利用分子束外延法（MBE）在STO衬底上生长出~20UC的FeSe薄膜，并使用STM研究了FeSe薄膜中畴界处的电子结构。（g）展示了清晰的边缘态图四畴界交叉点的束缚态（a、国房高b）图1c中交叉点电子态密度分布图。
因此，价最在超导FeSe薄膜中引入畴界为实现拓扑超导提供了新的思路，其优点为可避免引入掺杂、异质结结构等复杂性，在单组份材料中实现拓扑超导。在低温下，小县铁基超导体中电子结构的旋转对称性被破坏，形成向列相，其在实验中表现为可观测的电子各向异性。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，生活投稿邮箱[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip.。
另外，全种边缘态和束缚态的特征能量均位于费米能级处，说明该体系的化学势正好位于反转能隙的中心。【图文导读】图一FeSe畴界内向列性的抑制（a）STO衬底上生长的~20UCFeSe薄膜的原子分辨STM形貌图，国房高由于FeSe薄膜内具有很强的向列性使得Se原子沿着Se-Se晶格对角线方向被明显拉长（b）孪晶畴中的被拉长的Se原子以及畴边界上未被拉长的Se原子图二~20UCFeSe/STO的向列性畴界（a，国房高b）向列畴界的电子态密度空间分布图。
对于大部分铁基超导体，价最载流子掺杂可抑制向列相，从而产生超导电性。
研究人员在费米能级处观察到拓扑边缘态，小县其表现为：在畴界两侧空间上形成两个清晰的条状电子态。▍海信ULED：生活销售额同比增长84%2023年第三季度，海信ULEDX及ULED电视销售额同比增长84%，销量同比增长59%。
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